電阻率/方塊電阻測(cè)試儀性能型號(hào)：DP-DB1

更新時(shí)間：2021-01-27

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電阻率/方塊電阻測(cè)試儀型號(hào)：DP-DB1

DP-DB1本方阻測(cè)試新產(chǎn)品為薄膜測(cè)試提供機(jī)械、電氣兩方面的保護(hù)，在寬廣的量程范圍內(nèi)，使各種電子薄膜能得到準(zhǔn)確、無(wú)損的方塊電阻測(cè)量結(jié)果。

DP-DB1由于新型薄膜材料種類(lèi)繁多，研制過(guò)程中樣品性能變化較大，而且各種薄膜的機(jī)械強(qiáng)度，允許承受的電壓、電流均不相同，因此DP-DB1型測(cè)試儀可為用戶量身定制各種特定探針壓力及曲率半徑的探針頭，儀器的測(cè)試電流分7檔，可由0.4μA增加到大為1000mA，測(cè)試電壓可由8V增加到80V，測(cè)試電壓和測(cè)試電流均可連續(xù)調(diào)節(jié)，給薄膜、涂層的研制者提供了個(gè)測(cè)試條件的寬闊空間。

由于儀器設(shè)有恒流源開(kāi)關(guān)，并且所有電流檔在探針與樣品接觸后均有電流延時(shí)接通的能，充分保護(hù)了樣品表面不會(huì)因?yàn)樘结樈佑|時(shí)產(chǎn)生的電火花而受到損壞。

DP-DB1儀器性能

方阻測(cè)量范圍：1×10-5～2×106Ω/□，小分辨率1×10-5Ω/□；

電阻率測(cè)量范圍：1×10-6～2×105Ω·cm或1×10-8～2×103Ω·m，小分辨率1×10-6Ω·cm或1×10-8Ω·m；

探針壓力：25g～250g；

探針曲率半徑：25μm～450μm

（注：探針壓力及曲率半徑可根據(jù)薄膜材料性能及用戶需求定制）；

測(cè)試電流分7檔：1μA、10μA、100μA、1mA、10 mA、100 mA、1000 mA；

測(cè)試電壓：（1μA～10 mA檔）12～80V連續(xù)可調(diào)

（100mA檔） 8～36V連續(xù)可調(diào)

（1000mA檔） 8～15V連續(xù)可調(diào)；

測(cè)量方式：手動(dòng)或自動(dòng)（配置測(cè)試軟件）；

測(cè)量對(duì)象：導(dǎo)電薄膜、半導(dǎo)體薄膜、電力電容器鋁箔、各種金屬箔、銀漿涂層、鋰電池隔膜等各種新型電子薄膜；各種半導(dǎo)體材料的電阻率。

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電阻率/方塊電阻測(cè)試儀性能 型號(hào)：DP-DB1

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